Top-Gate Amorphous Indium-Gallium-Zinc-OxideThin-Film Transistors With Magnesium Metallized Source/Drain Regions

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标题	Top-Gate Amorphous Indium-Gallium-Zinc-OxideThin-Film Transistors With Magnesium Metallized Source/Drain Regions 具有镁金属化源/漏区的顶栅非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管相关领域薄膜晶体管无定形固体材料科学锌分析化学（期刊）铟镁光电子学核化学纳米技术化学结晶学图层（电子）有机化学冶金
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2020.2975211
DOI	10.1109/ted.2020.2975211 doi
其它	期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：Hao Peng; Biao Chang; Haishi Fu; Huan Yang; Yuqing Zhang; et al 出版日期：2020-04-01
求助人	yingzaifeixiang 在 2024-04-24 11:41:20 发布自北京，悬赏 10 积分
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