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标题
A review of doped metal oxide semiconductors in the stability of thin film transistors
掺杂金属氧化物半导体在薄膜晶体管稳定性中的研究进展
相关领域
材料科学 兴奋剂 半导体 薄膜 薄膜晶体管 光电子学 氧化物 纳米技术 金属 工程物理 冶金 物理 图层(电子)
网址
DOI
10.1016/j.jallcom.2024.177434 doi
求助人
cyy 在 2025-08-11 15:51:37 发布自广东,悬赏 10 积分
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