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![]() 强电磁脉冲对GaAs HEMT器件影响的研究
相关领域
高电子迁移率晶体管
光电子学
砷化镓
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期刊: 作者:Peng Zhao; Shijie Gu; Liutao Li; Shulong Wang 出版日期:2024-11-27 |
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