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 Selective Introduction of Pentagon Defects into Co‐N4 Sites for Boosting Fenton‐Like Activity 在Co-N4位点选择性引入五边形缺陷以提高类Fenton活性
相关领域
五角形
材料科学
Boosting（机器学习）
纳米技术
化学工程
人工智能
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几何学
数学
工程类
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Huajie Zhong; Junhui Wang; Bin Zhang; Yangyang Liu; Zeyu Gong; et al 出版日期：2025-04-14 |
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