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 Effects of rubidium substitution of Cs2-xRbxAgBiBr6 double halide perovskites on resistive switching characteristics for memory applications Cs2-xRbxAgBiBr6双卤化物钙钛矿的铷取代对存储器电阻开关特性的影响
相关领域
卤化物
铷
材料科学
X射线光电子能谱
电阻随机存取存储器
替代（逻辑）
粒度
电阻式触摸屏
光电子学
分析化学（期刊）
化学工程
化学
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期刊：Journal of Alloys and Compounds 作者：Un Suk Jung; Jeongah Lim; Sang Min Kim; Jinsub Park 出版日期：2024-01-01 |
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