Praseodymium-Doped Ge20In5Sb10Se65 Films Based on Argon Plasma Cosputtering for Infrared-Luminescent Integrated Photonic Circuits

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标题	Praseodymium-Doped Ge20In5Sb10Se65 Films Based on Argon Plasma Cosputtering for Infrared-Luminescent Integrated Photonic Circuits 用于红外发光集成电路的氩等离子体共溅射掺镨Ge20In5Sb10Se65薄膜相关领域材料科学发光薄膜无定形固体硫系化合物光电子学硫系玻璃兴奋剂溅射沉积红外线的镨溅射分析化学（期刊）纳米技术光学物理冶金化学有机化学色谱法
网址	https://pubs.acs.org/doi/epdf/10.1021/acsami.3c14602
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？ AI识别 10.1021/acsami.3c14602 doi
求助人	小卡戎在 2024-10-21 21:45:51 发布自浙江，悬赏 10 积分
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