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  Vertical GaN-on-GaN Trench Junction Barrier Schottky Diodes With a Slanted Sidewall 具有倾斜侧壁的垂直GaN-on-GaN沟槽结势垒肖特基二极管
相关领域
击穿电压
氮化镓
二极管
肖特基二极管
材料科学
光电子学
电气工程
物理
量子力学
电压
纳米技术
工程类
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Xinke Liu; Bo Li; Junye Wu; Jian Li; Wen Yue; et al 出版日期：2023-12-07 |
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