| 标题 |
Thermally Robust AlScN Memristors With Thickness-Optimized Resistive Switching for Harsh Environment 相关领域
记忆电阻器
材料科学
神经形态工程学
非易失性存储器
电阻随机存取存储器
光电子学
电阻式触摸屏
闪存
退火(玻璃)
记忆晶体管
电子工程
窗口(计算)
堆栈(抽象数据类型)
热的
电气工程
随机存取存储器
计算机数据存储
薄膜
切换时间
快速切换
硅
计算机科学
纳米技术
电极
逻辑门
纳米电子学
CMOS芯片
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Dongsheng Cui; Ruidong Li; Yu Liu; Xiangxiang Gao; haidong Yuan; et al 出版日期:2026-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)