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 Influence of fixed charges and trapped electrons on free electron mobility at 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces with gate oxides annealed in NO or POCl3 固定电荷和俘获电子对栅氧化物在NO或POCl3中退火的4H-SiC（0001）/SiO2界面自由电子迁移率的影响
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期刊：Applied Physics Express 作者：Kōji Itō; Hajime Tanaka; Masahiro Horita; Jun Suda; Tsunenobu Kimoto 出版日期：2024-07-16 |
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