标题 |
Fabrication and Characterization of 3C- and4H-SiC MOSFETs
3C-4H-SiC MOSFETs的制备与表征
相关领域
碳化硅
表征(材料科学)
工程物理
制作
宽禁带半导体
材料科学
带隙
光电子学
数码产品
半导体
碳化物
MOSFET
纳米技术
电气工程
工程类
晶体管
冶金
电压
病理
替代医学
医学
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期刊: 作者:Romain Esteve 出版日期:2011-01-01 |
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