| 标题 |
Effects of hydrogen impurities on performances and electrical reliabilities of indium-gallium-zinc oxide thin film transistors |
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| DOI |
10.7498/aps.67.20180074
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| 其它 |
期刊:Chinese Physics 作者:Yan Shao; Ding Shi-Jin 出版日期:2018-01-01 |
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(2025-6-4)