Influence of oxygen-related defects on In-Ga-Sn-O semiconductor due to plasma-enhanced atomic layer deposition of Al2O3 for low-temperature thin-film transistor in terms of electrical properties

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标题	Influence of oxygen-related defects on In-Ga-Sn-O semiconductor due to plasma-enhanced atomic layer deposition of Al2O3 for low-temperature thin-film transistor in terms of electrical properties
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.165649
DOI	10.1016/j.jallcom.2022.165649 doi
求助人	rjq 在 2026-08-18 14:34:57 发布自河南，悬赏 10 积分
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