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Optimizing the thickness of Ta2O5 interfacial barrier layer to limit the oxidization of Ta ohmic interface and ZrO2 switching layer for multilevel data storage
优化Ta2O5界面阻挡层厚度以限制Ta欧姆界面氧化和ZrO2开关层用于多级数据存储
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期刊:Journal of Materials Science and Technology/Journal of materials science & technology 作者:Muhammad Ismail; Haider Abbas; Chandreswar Mahata; Changhwan Choi; Sungjun Kim 出版日期:2022-04-01 |
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