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 Restudy of low-temperature data of Hall-effect measurements on compensated n-InSb and n-InAs on the basis of an impurity-Hubbard-band model 基于杂质Hubbard能带模型的补偿n-InSb和n-InAs低温霍尔效应测量数据的再研究
相关领域
凝聚态物理
霍尔效应
杂质
可变距离跳频
电阻率和电导率
热传导
化学
电子
赫巴德模型
导带
电导率
材料科学
物理
量子力学
物理化学
超导电性
有机化学
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| 其它 |
期刊：Materials Science and Engineering B 作者：Yasutomo Kajikawa 出版日期：2020-10-01 |
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温暖的弦
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