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 ScAlN/GaN High Electron Mobility Transistor Heterostructures Grown by Ammonia Source Molecular Beam Epitaxy on Silicon Substrate 硅衬底上氨源分子束外延生长ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管异质结构
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期刊：physica status solidi (a) 作者：Caroline Elias; Sébastien Chenot; Florian Bartoli; Maxime Hugues; Y. Cordier 出版日期：2025-01-26 |
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