Gate Voltage- and Bias Voltage-Tunable Staggered-Gap to Broken-Gap Transition Based on WSe2/Ta2NiSe5 Heterostructure for Multimode Optoelectronic Logic Gate

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标题	Gate Voltage- and Bias Voltage-Tunable Staggered-Gap to Broken-Gap Transition Based on WSe2/Ta2NiSe5 Heterostructure for Multimode Optoelectronic Logic Gate 基于WSe2/Ta2NiSe5异质结构的栅压和偏压可调交错带隙到断隙转变的多模光电逻辑栅相关领域光电子学光探测异质结材料科学堆积电压光电探测器电气工程物理核磁共振工程类
网址	https://doi.org/10.1021/acsnano.4c02923
DOI	10.1021/acsnano.4c02923 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Tiejun Zhu; Kai Li; Yao Zhang; Shaoping Meng; Mengfei He; et al 出版日期：2024-04-17
求助人	敏感的惜文在 2024-04-26 15:22:01 发布自江苏，悬赏 10 积分
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