标题 |
Cryogenic Mobility Enhancement in Si MOS Devices via SiO2 Regrowth
SiO2再生长提高Si MOS器件低温迁移率的研究
相关领域
物理
材料科学
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期刊:I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者:Shuai Zhao; Guodong Yuan; Qiuhao Zhu; Luhang Song; Di Zhang; et al 出版日期:2022-05-01 |
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