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Monolithically integrated self-aligned SiN edge coupler with <0.6/0.8 dB TE/TM insertion loss, <-39 dB back reflection and >520 mW high-power handling capability
单片集成自对准SiN边沿耦合器,具有<0.6/0.8 dB TE/TM插入损耗、<-39 dB背反射和>520 mW高功率处理能力
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期刊: 作者:Yusheng Bian; Takako Hirokawa; Vaishnavi Karra; Arpan Dasgupta; Won Suk Lee; et al 出版日期:2023-01-01 |
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