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MoS2 Transistors with 4 nm hBN Gate Dielectric and 0.46 V Threshold Voltage |
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期刊:ACS Nano 作者:Yaqing Shen; S. Pazos; Wenwen Zheng; Yue Yuan; Yue Ping; et al 出版日期:2025-04-24 |
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(2025-6-4)