The role of AsH3 partial pressure on anti-phase boundary in GaAs-on-Ge grown by MOCVD – Application to a 200mm GaAs virtual substrate

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标题	The role of AsH3 partial pressure on anti-phase boundary in GaAs-on-Ge grown by MOCVD – Application to a 200mm GaAs virtual substrate
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.04.003
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2015.04.003 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：David Kohen; Shuyu Bao; Kwang Hong Lee; Kenneth Eng Kian Lee; Chuan Seng Tan; et al 出版日期：2015
求助人	虚幻的水之在 2026-03-16 15:11:03 发布自江苏，悬赏 10 积分
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