A Novel Digital Etch Technique for p-GaN Gate HEMT

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标题	A Novel Digital Etch Technique for p-GaN Gate HEMT 相关领域材料科学蚀刻（微加工）高电子迁移率晶体管光电子学反应离子刻蚀等离子体击穿电压氮化镓氧化剂等离子体刻蚀电流密度分析化学（期刊）图层（电子）电压电气工程纳米技术化学晶体管工程类有机化学物理量子力学色谱法
网址	https://doi.org/10.1109/smelec.2018.8481283
DOI	10.1109/smelec.2018.8481283 doi
其它	期刊：IEEE International Conference on Semiconductor Electronics 作者：Yuan Lin; Yueh Min Lin; Tseung-Yuen Tseng; Chang Fu Dec; Burhanuddin Yeop Majilis; et al 出版日期：2018-10-03
求助人	慕晓丝在 2023-03-18 21:17:11 发布自安徽，悬赏 10 积分
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