Dual-Channel Type-Tunable Field-Effect Transistors Based on Vertical Bilayer WS2(1−x)Se2x/SnS2 Heterostructures

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标题	Dual-Channel Type-Tunable Field-Effect Transistors Based on Vertical Bilayer WS2(1−x)Se2x/SnS2 Heterostructures
网址	求助人暂未提供
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	Biyuan Zheng, Dong Li, Chenguang Zhu, Jianyue Lan, Xingxia Sun, Weihao Zheng, Huawei Liu, Xuehong Zhang, Xiaoli Zhu, Yexin Feng, Tao Xu, Litao Sun, Gengzhao Xu, Xiao Wang, Chao Ma, and Anlian Pan.
求助人	流萤在 2023-02-23 20:52:53 发布自湖南，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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1年前，求助关闭

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