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 Invited; Growth of Czochralski Silicon Crystals with Ultralow Carbon Concentrations for High-Power Insulated-Gate Bipolar Transistor Devices 受邀；用于大功率绝缘栅双极晶体管器件的超低碳直拉硅晶体的生长
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期刊：Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM) 作者：Yuta Nagai; S. Nakagawa; Mitsuo Higasa; Kazuhiko Kashima 出版日期：2014-08-05 |
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