| 标题 |
Implementation of electron restriction layer in n-AlGaN toward balanced carrier distribution in deep ultraviolet light-emitting-diodes 在n-AlGaN中实现电子限制层在深紫外发光二极管中的平衡载流子分布
相关领域
光电子学
电子
超晶格
材料科学
电致发光
量子效率
二极管
发光二极管
电子迁移率
自发辐射
当前拥挤
量子阱
活动层
光学
图层(电子)
物理
电流密度
纳米技术
薄膜晶体管
激光器
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Kunzi Liu; Li Chen; Tian Luo; Zihui Zhao; Ping Ouyang; et al 出版日期:2022-12-12 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|