| 标题 |
 Properties of Si/SiO>inf<2>/inf<Interfaces in Vertical Trench MOSFETs 垂直沟槽MOSFET中Si/SiO>inf<2>/inf<界面的性质
相关领域
电容
悬空债券
氧化物
材料科学
电容器
物理
分析化学（期刊）
硅
光电子学
化学
电压
量子力学
有机化学
电极
冶金
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：2006 International Workshop on Junction Technology 作者：S.A. Suliman 出版日期：2006-08-16 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
孤独尔白
kento
遇上就这样吧
优秀的流沙
daisy
jyy
若雨凌风
斯寜
非而者厚
忧虑的初晴
SYLH
Lucas
Mercury
再见当套7
从容芮
HEIKU
xiaokang123
爱静静
可爱的函函
猪猪hero
皖公网安备34019202002308
