Electron mobility distribution in FD-SOI MOSFETs using a NEGF-Poisson approach

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标题	Electron mobility distribution in FD-SOI MOSFETs using a NEGF-Poisson approach 用负泊松方法研究FD-SOI MOSFET中的电子迁移率分布相关领域电子迁移率绝缘体上的硅 MOSFET 材料科学感应高电子迁移率晶体管光电子学晶体管半导体电子凝聚态物理平面的泊松方程半导体器件硅场效应晶体管物理纳米技术图层（电子）计算机科学电压计算机图形学（图像）量子力学
网址	https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108283
DOI	10.1016/j.sse.2022.108283 doi
其它	期刊：Solid-State Electronics 作者：Nima Dehdashti Akhavan; Gilberto A. Umana‐Membreno; Renjie Gu; J. Antoszewski; L. Faraone; et al 出版日期：2022-03-14
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