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 Gain and Power Enhancement With Coupled Technique for a Distributed Power Amplifier in 0.25- μm GaN HEMT Technology 基于耦合技术的0.25 μ m GaN HEMT技术分布式功率放大器增益和功率增强
相关领域
高电子迁移率晶体管
放大器
光电子学
功率（物理）
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期刊：IEEE Transactions on Very Large Scale Integration Systems 作者：Yan Xu; Jingyuan Zhang; Guansheng Lv; Wenhua Chen; Yong‐Xin Guo 出版日期：2024-06-17 |
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