一种基于磁控溅射技术的GaSb薄膜制备方法

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标题	专利、报告等一种基于磁控溅射技术的GaSb薄膜制备方法
网址	求助人暂未提供
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	专利类型：发明专利申请/专利号：CN202411713459.6 申请日期：2024-11-27 公开/公告号：CN119710930A
求助人	寻月在 2026-01-07 17:00:02 发布自河北，悬赏 10 积分
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