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 Antiferroelectric Hf$_{\text{0}.\text{25}}$Zr$_{\text{0}.\text{75}}$O$_{\text{2}}$ With Ferroelectric Properties and Low Voltage Operation of AFeRAM and AFeFET by Using Low-Temperature Atomic Layer Deposition 反铁电Hf$_{\text{0}。\text{25}}$Zr$_{\text{0}。\text{75}}$O$_{\text{2}}$通过低温原子层沉积制备具有铁电性质和低电压操作的AFeRAM和AFeFET
相关领域
铁电性
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Kun-Tao Lin; Chieh Lo; Shu-Chieh Chang; Hsing-Tzu Tsai; Tien–Sheng Chao 出版日期：2024-02-01 |
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