| 标题 |
 Post-Treatment of Monolayer MoS2 Field-Effect Transistors with H2O Vapor: Alleviation of Remote Channel Doping H2O蒸汽后处理单层MoS2场效应晶体管：减轻远程沟道掺杂
相关领域
材料科学
单层
原子层沉积
钝化
电介质
栅极电介质
兴奋剂
光电子学
化学气相沉积
阈值电压
纳米技术
场效应晶体管
晶体管
图层（电子）
电压
电气工程
工程类
|
| 网址 | |
| DOI |
提醒：求助人提供的doi与AI识别不一致
10.1021/acsami.4c17249
Doi
|
| 其它 |
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Hee-Soo Lee; Byeongchan Kim; Moongyu Jang; Seongdae Kwon; D. H. LEE; et al 出版日期：2025-01-07 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
嘻嘻哈哈
林狗
OK
七听
木子
GingerF
璐璐
激动的从霜
整齐的孤菱
陈一
你嵙这个期刊没买
v0id
渡人舟
herococa
YifanWang
兔兔美
初景
guo
学霸业
斯文的白玉
皖公网安备34019202002308
