Fabrication and characterization of modulation-doped β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 tri-metal FET utilizing ultra-high vacuum deposition based on plasma-assisted molecular beam epitaxy

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标题	Fabrication and characterization of modulation-doped β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 tri-metal FET utilizing ultra-high vacuum deposition based on plasma-assisted molecular beam epitaxy
网址	https://doi.org/10.1007/s10854-024-13430-6
DOI	10.1007/s10854-024-13430-6 doi
其它	期刊：Journal of Materials Science: Materials in Electronics 作者：V. N. Senthil Kumaran; M. Venkatesh; Azath Mubarakali; Abdulrahman Saad Alqahtani; P. Parthasarathy 出版日期：2024
求助人	憨憨在 2026-04-27 12:26:48 发布自上海，悬赏 10 积分
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