Nonconventional Strain Engineering for Uniform Biaxial Tensile Strain in MoS2 Thin Film Transistors

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标题	Nonconventional Strain Engineering for Uniform Biaxial Tensile Strain in MoS2 Thin Film Transistors MoS2薄膜晶体管均匀双轴拉伸应变的非常规应变工程相关领域应变工程材料科学化学气相沉积晶体管拉伤基质（水族馆）半导体金属有机气相外延极限抗拉强度光电子学图层（电子）纳米技术复合材料硅电气工程外延电压医学内科学工程类海洋学地质学
网址	https://doi.org/10.1021/acsnano.3c10495
DOI	10.1021/acsnano.3c10495 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Hyeong Cheol Shin; Ajit K. Katiyar; Anh Tuan Hoang; Seok‐Min Yun; B. Kim; et al 出版日期：2024-01-26
求助人	ning 在 2024-02-01 14:15:57 发布自江苏，悬赏 10 积分
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