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Selective chemical etching for termination layer control of BaSnO3 and 2DEG formation at the LaInO3/BaSnO3 interface
LaInO3/BaSnO3界面BaSnO3终端层的选择性化学刻蚀控制及2DEG的形成
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期刊:APL Materials 作者:Seonghyeon Kim; Bongju Kim; K. Char 出版日期:2023-12-01 |
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