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NS3K: A 3-nm Nanosheet FET Standard Cell Library Development and its Impact
NS3K:一种3nm纳米片FET标准单元库的研制及其影响
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期刊:IEEE Transactions on Very Large Scale Integration Systems 作者:Taehak Kim; Jaehoon Jeong; Seungmin Woo; Jeonggyu Yang; Hyunwoo Kim; et al 出版日期:2022-01-01 |
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