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标题
Enhancement-Mode GaAs n-Channel MOSFET
增强型GaAs n沟道MOSFET
相关领域
跨导 MOSFET 阈值电压 电气工程 频道（广播） 光电子学 材料科学 砷化镓 物理 分析化学（期刊） 拓扑（电路） 晶体管 电压 化学 工程类 色谱法
网址
https://doi.org/10.1109/led.2006.886319
DOI
10.1109/led.2006.886319 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：K. Rajagopalan; J. Abrokwah; Ravi Droopad; M. Passlack
出版日期：2006-12-01
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123456 在 2025-06-07 22:03:24 发布自山东，悬赏 10 积分
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