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![]() 使用SF6、C4F8和O2等离子体蚀刻多晶硅和氟碳聚合物期间底壁和侧壁蚀刻速率对偏压和源功率的依赖性
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期刊:Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 作者:Jae-Ho Min; Gyeo-Re Lee; Jin-kwan Lee; Sang Heup Moon; Chang-Koo Kim 出版日期:2004-07-09 |
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