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 Single-event robustness under pulsed voltage stress and gate degradation under negative gate bias in hybrid-drain gate injection transistors (HD-GITs) 相关领域
材料科学
光电子学
晶体管
随时间变化的栅氧化层击穿
肖特基势垒
场效应晶体管
肖特基二极管
量子隧道
栅氧化层
逻辑门
辐照
阈值电压
泄漏（经济）
栅极电介质
辐射硬化
异质结
电场
MOSFET
跨导
电压
压力（语言学）
热载流子注入
辐射
降级（电信）
和大门
偏压
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiaofeng Ding; Lin Li; Lyuzhang Peng; Tongtong Xu; Wei Liu; et al 出版日期：2026-04-06 |
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