GeS conducting-bridge resistive memory device with IGZO buffer layer for highly uniform and repeatable switching

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标题	GeS conducting-bridge resistive memory device with IGZO buffer layer for highly uniform and repeatable switching
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-abstract/122/20/203503/...
DOI	10.1063/5.0149760 doi
求助人	zzulyy 在 2026-04-02 16:51:54 发布自河南，悬赏 10 积分
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