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标题
Positive Shifting of Vth with Enhanced DC Performance in AlGaN/GaN Schottky-Gate HEMT through Optimized UV/O3 Treated Gate Interface and Thermal Engineering
通过优化UV/O3处理的栅极界面和热工程提高AlGaN/GaN肖特基栅极HEMT直流性能的Vth正移
相关领域
材料科学 高电子迁移率晶体管 光电子学 肖特基二极管 肖特基势垒 接口（物质） 电气工程 晶体管 复合材料 二极管 毛细管作用 电压 毛细管数 工程类
网址
https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac72c0
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.1149/2162-8777/ac72c0 doi
其它 期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology
作者：Soumen Mazumder; Zhan-Gao Wu; Yeong‐Her Wang
出版日期：2022-05-24
求助人
万能图书馆 在 2025-12-03 22:01:38 发布自福建，悬赏 10 积分
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