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Competitive surface adsorption governs unintentional Si incorporation in MOCVD-grown β -Ga 2 O 3 (001) homoepilayers 竞争性表面吸附控制MOCVD生长的β-Ga2O3(001)同外延层中Si的无意掺入
相关领域
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硅
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期刊:Journal of Physics D 作者:Chong-De Zhang; Jiahao Yao; Xiang Gao; Zhaoxuan Fang; Mei Cui; et al 出版日期:2025-11-11 |
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