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标题
Comprehensive research on nitrided SiO2/SiC interfaces by high-temperature nitric oxide annealing formed on basal and non-basal planes
基面和非基面高温一氧化氮退火氮化SiO2/SiC界面的综合研究
相关领域
材料科学 渗氮 退火（玻璃） 光电子学 碳化硅 工程物理 晶体管 MOSFET 纳米技术 电气工程 冶金 工程类 电压 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ada03c
DOI
10.35848/1347-4065/ada03c doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Heiji Watanabe; Takuma Kobayashi; Hayato Iwamoto; Takato Nakanuma; Hirohisa Hirai; et al
出版日期：2024-12-17
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受伤的夏旋 在 2025-12-06 13:22:36 发布自江西，悬赏 10 积分
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