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标题
A 1.2 V Single Event Multinode Upset Tolerant RHSC 12T Memory Cell in 65-nm CMOS
相关领域
CMOS芯片 节点（物理） 计算机科学 单事件翻转 事件（粒子物理） 晶体管 软错误 缩放比例 并行计算 电气工程 物理 计算机硬件 工程类 电子工程 静态随机存取存储器 数学 几何学 量子力学 电压
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3343316
DOI
10.1109/ted.2023.3343316 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Suraj Singh Dohar; R. K. Siddharth; M. H. Vasantha; Y.B. Nithin Kumar
出版日期：2023-12-21
求助人
Jerry 在 2026-01-09 19:32:37 发布自云南，悬赏 10 积分
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