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Structural Defects Improve the Memristive Characteristics of Epitaxial La0.8Sr0.2MnO3‐Based Devices 结构缺陷改善外延La0.8Sr 0.2 MnO3基器件的忆阻特性
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期刊:Advanced Materials Interfaces 作者:Carlos Moncasi; Gauthier Lefèvre; Quentin Villeger; Laëtitia Rapenne; Hervé Roussel; et al 出版日期:2022-07-11 |
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