Theoretical Study on Structural and Electronic Properties of Interstitial Oxygen Defects in Amorphous Indium Gallium Oxide for Transistor Reliability

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标题	Theoretical Study on Structural and Electronic Properties of Interstitial Oxygen Defects in Amorphous Indium Gallium Oxide for Transistor Reliability 用于晶体管可靠性的非晶铟镓氧化物中间隙氧缺陷结构和电子性质的理论研究相关领域镓可靠性（半导体）无定形固体材料科学铟晶体管氧化镓光电子学氧化物氧气电子工程电气工程冶金化学工程类结晶学物理电压有机化学功率（物理）量子力学
网址	https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.k-1-06
DOI	10.7567/ssdm.2024.k-1-06 doi
其它	期刊：作者：Chitra Pandy; Masaharu Kobayashi 出版日期：2024-09-02
求助人	waitamoment 在 2024-12-03 15:43:57 发布自河北，悬赏 10 积分
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