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Tuning electronic properties in tin-assisted n-type ε-Ga2O3:Zr thin films via PLD for p-n heterojunction
通过PLD调节p-n异质结tin辅助n型ε-Ga2O3:Zr薄膜的电子性质
相关领域
材料科学 脉冲激光沉积 薄膜 异质结 电子迁移率 兴奋剂 光电子学 分析化学(期刊) 纳米技术 化学 色谱法 冶金
网址
DOI
10.1016/j.apsusc.2023.156457 doi
求助人
意兴不阑珊 在 2025-01-13 19:02:48 发布自中国,悬赏 10 积分
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