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[高分]
 Luminescence Properties of InGaN/GaN Green Light-Emitting Diodes with Si-Doped Graded Short-Period Superlattice 掺硅梯度短周期超晶格InGaN/GaN绿色发光二极管的发光特性
相关领域
材料科学
发光二极管
超晶格
光电子学
光致发光
量子限制斯塔克效应
兴奋剂
二极管
量子阱
光学
激光器
物理
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期刊：Journal of Nanoscience and Nanotechnology 作者：ll-Wook Cho; Bom Lee; Kwanjae Lee; Jin Soo Kim; Mee‐Yi Ryu 出版日期：2021-05-13 |
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