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Formation and multiplication of basal plane dislocations during physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals
4H-SiC晶体物理气相输运生长过程中基面位错的形成与增殖
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:Takahiro Nakano; Naoto Shinagawa; Masahiro Yabu; Noboru Ohtani 出版日期:2019-06-01 |
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