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标题
[高分] Numerical Modeling for GaN Deposition by MOCVD: Effects of the Gas Inlet
MOCVD沉积GaN的数值模拟：气体入口的影响
相关领域
金属有机气相外延 化学气相沉积 沉积（地质） 入口 薄脆饼 材料科学 制作 光电子学 化学 图层（电子） 纳米技术 地质学 医学 古生物学 替代医学 外延 病理 地貌学 沉积物
网址
https://doi.org/10.5757/asct.2014.23.3.139
AI链接 or.krdoi.org
DOI
10.5757/asct.2014.23.3.139 doi
其它 期刊：Applied Science and Convergence Technology
作者：Won‐Kyun Yang; Junghoon Joo
出版日期：2014-05-30
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无私的青槐 在 2025-10-10 07:51:27 发布自贵州，悬赏 150 积分
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