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In‐Built N+ Pocket Dual‐Material Gate Electrical‐Doped Tunnel Field‐Effect Transistors with Dopant‐Segregated Schottky Barrier Drain for Ambipolarity Suppression 具有用于双极性抑制的掺杂剂隔离肖特基势垒漏极的内置N+口袋双材料栅极电掺杂隧道场效应晶体管
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期刊:physica status solidi (a) 作者:Hang‐Huang Zhang; Chan Shan 出版日期:2025 |
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