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 Designing buried-gate InGaZnO transistors for high-yield and reliable switching characteristics 设计具有高产量和可靠开关特性的埋栅InGaZnO晶体管
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期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Do Hyeong Kim; Se‐Young Oh; Ojun Kwon; Soo-Hong Jeong; Hyun Young Seo; et al 出版日期：2024-01-01 |
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